电磁炉烧大功率管的检测方法

灏仔

    用电容表测300V高压滤波和谐振电容，这两个电容容量，精度均应在5%以内。否则，必须更换。
       IGBT的驱动电路一般是由一个8050和一个8550组成。IGBT烧管，一般8050连带毁坏居多。最好两个都查一下。
       用60W的灯泡，串在220V交流电源上！按上述方法修好后，把炉子全部装好，通上电源。如果灯泡不太亮，就可以把锅放到炉上，开启电磁炉上的电源开关，要是灯泡有闪亮的现象，电磁炉就OK了。
       以上方法，对绝大部分IGBT烧管电磁炉的修理，有特效
电磁炉主板性能检测和维修的步骤
维修电磁炉的步骤:
    1.当检测更换原器件后应不要急着接通电源,首先在有条件的情况下,将电路板的敷铜面用洗板水清洁一下,干燥后仔细观察一下电路板的正反面,确定没有连焊,虚焊,没有锡渣,没有小虫的尸体等有可能会引起炸机的因素存在,特别是要检查散热器的反面和IGBT引脚等处是否有细小的金属丝的存在(如更换了IGBT,扁桥则要检查导热硅脂是否涂敷?紧固IGBT和扁桥的螺丝是否上紧,这点很重要,没上紧螺丝的话开机就要烧IGBT).检查与故障有关的电路范围内的器件是否还有坏的或变质的,因为电容的变质很容易使电磁炉工作不正常,确认没有问题后可通电(注意是通电不是开机并不接线盘负载)
    2.在通电的情况下(上电)电磁炉的蜂鸣器会叫一声,(如没有叫声就说明还有问题.)开始检测供电系统的电压,如扁桥的输出电压是不是有310伏左右,5伏,12伏,18伏(或20伏)等是否正常,特别是稳压器件有否发热?
    3.驱动级输出电平是否小于0.5伏以下,339或393的各级电平是否正常,(规范的企业一般是会将检测点的电平标注在电路板上的)
    4.如没问题就可以打开开关键,应该听到找锅的叫声,这时再检测相关的工作点的电压,看是否正常,驱动级的找锅方波信号应该和找锅的信号随着蜂鸣器的叫声一秒左右跳动一次
     5.如一切正常则可以断电后接负载,然后通电检测了整机性能了(在上述检测没有问题后,如开机还是炸机,则很有可能是339或某个电阻,电容的参数发生了偏移导致静态点正常而当有交流信号时,机器仍不能正常工作.
电磁炉的分类及修理事项
         在修理中常见的电磁炉大致分为两类：
由LM339（四电压比较器）输出脉冲信号。
1：    触发部分由正负两组电源，管子用PNPNPN组成，类似这种电路，后级大多是用大功率管多个复合而成，组成高压开关部分，在代换中，前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子，解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量，金属封装得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类，用两个就可以。
2：功控管用IGBT绝缘栅开关器件；
这些机器特征是不用双电源触发，只有+5V和+12V,LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT
这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为，只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，（一般是烧半壁），在其次是触发集成块TA8316坏，连带LM339N一起损坏的很少见。
对于高压模块，由于这方面的参数手册很少，希望大家搜集转贴，以便代换时参考。
不能贸然更换,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常.
2.1.2  IGBT
绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。
    从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT的特点:
1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。
     IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。
目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:
(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。
(3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
(5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管。
GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。”